Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-30716" >
Investigation of th...
Investigation of the structural and optical properties of free-standing GaN grown by HVPE
-
Gogova, D. (författare)
-
- Hemmingsson, Carl, 1964- (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Monemar, Bo, 1942- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa fler...
-
Talik, E. (författare)
-
Kruczek, M. (författare)
-
Tuomisto, F. (författare)
-
Saarinen, K. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2005-07-01
- 2005
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Physics D. - : IOP Publishing. - 0022-3727 .- 1361-6463. ; 38:14, s. 2332-2337
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The potential of the high-growth rate hydride vapour phase epitaxy technique and laser lift-off for the fabrication of free-standing GaN substrates is explored. Structural and optical properties of 300 νm thick free-standing GaN have been investigated employing different analytical techniques. The x-ray diffraction (XRD) measurements prove good crystalline quality of the material grown. A comparatively low value of (3 ± 1) × 1016 cm-3 of Ga vacancy-related defects is inferred from positron annihilation spectroscopy data. Complete strain relaxation is observed on the Ga-polar face of the free-standing GaN by XRD and Raman spectroscopy measurements. The strain-free homoepitaxy will significantly reduce the defect density, and thus an improvement of the device performance and lifetime can be realized. © 2005 IOP Publishing Ltd.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas