Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-30725" >
Effects of rapid th...
Effects of rapid thermal annealing on optical properties of GaNxP1−x alloys grown by solid source molecular beam epitaxy
-
- Izadifard, Morteza, 1965- (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Buyanova, Irina, 1960- (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Bergman, Peder, 1961- (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Chen, Weimin, 1959- (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Utsumi, A. (författare)
- Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi, Japan
-
- Furukawa, Y. (författare)
- Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi, Japan
-
- Wakahara, A. (författare)
- Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi, Japan
-
- Yonezu, H. (författare)
- Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi, Japan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2005-03-01
- 2005
- Engelska.
-
Ingår i: Semiconductor Science and Technology. - : IOP Publishing. - 0268-1242 .- 1361-6641. ; 20:5, s. 353-356
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Temperature-dependent photoluminescence (PL), PL excitation and time-resolved PL measurements were employed to study the effects of rapid thermal annealing (RTA) on optical properties of GaNxP1−x alloys grown by solid source molecular beam epitaxy. A substantial increase in radiative efficiency of GaNP epilayers, which is especially pronounced for the high-energy PL component, was achieved after RTA and is attributed to annealing out of competing non-radiative centres. The latter is evident from reduced quenching of the PL intensity with increasing measurement temperature, which results in a strong increase (up to 18 times) in the PL intensity at room temperature (RT), as well as from a substantial increase in carrier lifetime at RT deduced from time-resolved PL measurements.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
- Semiconductor physics
- Halvledarfysik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Izadifard, Morte ...
-
Buyanova, Irina, ...
-
Bergman, Peder, ...
-
Chen, Weimin, 19 ...
-
Utsumi, A.
-
Furukawa, Y.
-
visa fler...
-
Wakahara, A.
-
Yonezu, H.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Semiconductor Sc ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet