Fast spin relaxation in InGaN/GaMnN spin LEDs: an obstacle to spin detection for future spintronics applications

Chen, Wei Min,1959-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial (författare)

Fast spin relaxation in InGaN/GaMnN spin LEDs : an obstacle to spin detection for future spintronics applications

Abstract Book of the 3rd annual Nano Materials for Defense Applications Symposium

Buyanova, Irina,1960-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)iribo40 (författare)
Nishibayashi, K. (författare)
Kay, K. (författare)
Seo, K. (författare)
Murayama, A. (författare)
Oka, Y. (författare)
Thaler, G. (författare)
Frazier, R. (författare)
Abernathy, C.R. (författare)
Ren, F. (författare)
Pearton, S.J. (författare)
Pan, C.-C. (författare)
Chen, G.-T. (författare)
Chyi, J.-I. (författare)
Zavada, J.M. (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Ingår i:3rd annual Nano Materials for Defense Applications Symposium,2005, s. 31-31

Av författaren/redakt...: Chen, Wei Min, 1 ...; Buyanova, Irina, ...; Nishibayashi, K.; Kay, K.; Seo, K.; Murayama, A.; visa fler...; Oka, Y.; Thaler, G.; Frazier, R.; Abernathy, C.R.; Ren, F.; Pearton, S.J.; Pan, C.-C.; Chen, G.-T.; Chyi, J.-I.; Zavada, J.M.; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.