Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-36251" >
Nitrogen incorporat...
-
Zhao, Qingxiang,1962Gothenburg University,Göteborgs universitet,Institutionen för fysik (GU),Department of Physics (GU),Göteborg University
(författare)
Nitrogen incorporation in GaNas layers grown by molecular beam epitaxy
- Artikel/kapitelEngelska2006
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
AIP Publishing,2006
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-36251
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-36251URI
-
https://doi.org/10.1063/1.2219133DOI
-
https://gup.ub.gu.se/publication/22671URI
-
https://research.chalmers.se/publication/22671URI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
GaNAs/GaAs quantum wells with high N concentrations, grown by molecular beam epitaxy, have been investigated by secondary-ion mass spectrometry (SIMS), high resolution x-ray diffraction (XRD), and photoluminescence (PL) measurements. The substitutional N concentration in an 18 nm thick strained GaNAs layer varies from 1.4% to 5.9% when the growth rate is reduced from 1 to 0.2 μm/h. By further reducing the growth rate, more N can be incorporated but relaxation occurs. Both the total N concentration, deduced from SIMS measurements, and the substitutional N concentration, deduced from XRD measurements, increase with reduced growth rate. By comparing the SIMS and XRD results, we found that a large amount of N was not in substitutional position when the substitutional N concentration is high (≫4%). The experimental results also show that there is no detectable change of total and substitutional N concentrations, within the instrument resolutions, after rapid thermal annealing at 700 °C for 30 s. However, PL measurements show a strong blueshift of the emission wavelength after annealing and the PL intensity increases by more than one order of magnitude.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Wang, Shu Min,1963Göteborg University,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)shumin
(författare)
-
Sadeghi, Mahdad,1964Göteborg University,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)mahdad
(författare)
-
Larsson, Anders,1957Göteborg University,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)andersla
(författare)
-
Friesel, Milan,1948Gothenburg University,Göteborgs universitet,Institutionen för fysik (GU),Department of Physics (GU),University of Gothenburg,Göteborg University(Swepub:cth)friesel
(författare)
-
Willander, Magnus,1948-Gothenburg University,Göteborgs universitet,Institutionen för fysik (GU),Department of Physics (GU),University of Gothenburg,Göteborg University(Swepub:cth)xwilma
(författare)
-
Zhao, Qing Xiang,1962Göteborgs universitet,University of Gothenburg(Swepub:cth)zhao
(författare)
-
Göteborgs universitetInstitutionen för fysik (GU)
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing89:3, s. 31907-1-31907-30003-69511077-3118
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Zhao, Qingxiang, ...
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
Sadeghi, Mahdad, ...
-
Larsson, Anders, ...
-
Friesel, Milan, ...
-
Willander, Magnu ...
-
visa fler...
-
Zhao, Qing Xiang ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Telekommunikatio ...
- Artiklar i publikationen
-
Applied Physics ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet
-
Göteborgs universitet
-
Chalmers tekniska högskola