SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-36251"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-36251" > Nitrogen incorporat...

  • Zhao, Qingxiang,1962Gothenburg University,Göteborgs universitet,Institutionen för fysik (GU),Department of Physics (GU),Göteborg University (författare)

Nitrogen incorporation in GaNas layers grown by molecular beam epitaxy

  • Artikel/kapitelEngelska2006

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • AIP Publishing,2006
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-36251
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-36251URI
  • https://doi.org/10.1063/1.2219133DOI
  • https://gup.ub.gu.se/publication/22671URI
  • https://research.chalmers.se/publication/22671URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  •    GaNAs/GaAs quantum wells with high N concentrations, grown by molecular beam epitaxy, have been investigated by secondary-ion mass spectrometry (SIMS), high resolution x-ray diffraction (XRD), and photoluminescence (PL) measurements. The substitutional N concentration in an 18 nm thick strained GaNAs layer varies from 1.4% to 5.9% when the growth rate is reduced from 1 to 0.2 μm/h. By further reducing the growth rate, more N can be incorporated but relaxation occurs. Both the total N concentration, deduced from SIMS measurements, and the substitutional N concentration, deduced from XRD measurements, increase with reduced growth rate. By comparing the SIMS and XRD results, we found that a large amount of N was not in substitutional position when the substitutional N concentration is high (≫4%). The experimental results also show that there is no detectable change of total and substitutional N concentrations, within the instrument resolutions, after rapid thermal annealing at 700 °C for 30 s. However, PL measurements show a strong blueshift of the emission wavelength after annealing and the PL intensity increases by more than one order of magnitude.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Wang, Shu Min,1963Göteborg University,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)shumin (författare)
  • Sadeghi, Mahdad,1964Göteborg University,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)mahdad (författare)
  • Larsson, Anders,1957Göteborg University,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)andersla (författare)
  • Friesel, Milan,1948Gothenburg University,Göteborgs universitet,Institutionen för fysik (GU),Department of Physics (GU),University of Gothenburg,Göteborg University(Swepub:cth)friesel (författare)
  • Willander, Magnus,1948-Gothenburg University,Göteborgs universitet,Institutionen för fysik (GU),Department of Physics (GU),University of Gothenburg,Göteborg University(Swepub:cth)xwilma (författare)
  • Zhao, Qing Xiang,1962Göteborgs universitet,University of Gothenburg(Swepub:cth)zhao (författare)
  • Göteborgs universitetInstitutionen för fysik (GU) (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing89:3, s. 31907-1-31907-30003-69511077-3118

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy