Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-36643" >
Dominant shallow ac...
Dominant shallow acceptor related to oxygen and hydrogen in GaN
-
- Monemar, Bo, 1942- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Paskov, Plamen, 1959- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
Tuomisto, F. (författare)
-
visa fler...
-
Saarinen, K. (författare)
-
Iwaya, M. (författare)
-
Kamiyama, S. (författare)
-
Amano, H. (författare)
-
Akasaki, I. (författare)
-
Kimura, S. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- American Physical Society, 2006
- 2006
- Engelska.
-
Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - : American Physical Society. - 1098-0121 .- 1550-235X. ; 376-377, s. 440-443
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We present new photoluminescence (PL) data of deliberately O-doped and Mg-doped GaN layers grown by MOCVD. The combination of these data with positron annihilation spectroscopy (PAS) and SIMS results obtained on the same samples shows a clear correlation of the PL intensity of the acceptor related emissions at 3.466 and 3.27 eV (at 2 K) with O doping. The acceptor is stable upon annealing in N-2 in our highly resistive samples, while it is known be unstable in p-GaN. Our tentative conclusion is that this very commonly occurring acceptor is either a V-Ga-O-H complex or a second configuration of the Mg acceptor containing H.
Nyckelord
- GaN
- hydrogen
- oxygen
- acceptor
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Monemar, Bo, 194 ...
-
Paskov, Plamen, ...
-
Tuomisto, F.
-
Saarinen, K.
-
Iwaya, M.
-
Kamiyama, S.
-
visa fler...
-
Amano, H.
-
Akasaki, I.
-
Kimura, S.
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
Physical Review ...
-
Physica B: Conde ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet