Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-38848" >
All-optical charact...
All-optical characterization of carrier lifetimes and diffusion lengths in MOCVD-, ELO-, and HVPE- grown GaN
-
Malinauskas, T. (författare)
-
Aleksiejunas, R. (författare)
-
Jarasiunas, K. (författare)
-
visa fler...
-
Beaumont, B. (författare)
-
Gibart, P. (författare)
-
- Kakanakova-Georgieva, Anelia, 1970- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Janzén, Erik, 1954- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Gogova, Daniela, 1967- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Monemar, Bo, 1942- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
Heuken, M. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2007
- 2007
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Crystal Growth, Vol. 300. - : Elsevier BV. - 0022-0248. ; , s. 223-227
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The metrological capability of the picosecond four-wave mixing (FWM) technique for evaluation of the photoelectrical properties of GaN heterostructures grown on sapphire, silicon carbide, and silicon substrates as well as of free-standing GaN films is demonstrated. Carrier recombination and transport features have been studied in a wide excitation, temperature, and dislocation density (from ∼1010 to 106 cm-2) range, exploring non-resonant refractive index modulation by a free carrier plasma. The studies allowed to establish the correlations between the dislocation density and the carrier lifetime, diffusion length, and stimulated emission threshold, to reveal a competition between the bimolecular and nonradiative recombination, and to verify the temperature dependence of bimolecular recombination coefficient in the 10-300 K temperature range. It was shown that the FWM technique is more advantageous than the time-resolved photoluminescence technique for determination of carrier lifetimes in high quality thick III-nitride layers. © 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Malinauskas, T.
-
Aleksiejunas, R.
-
Jarasiunas, K.
-
Beaumont, B.
-
Gibart, P.
-
Kakanakova-Georg ...
-
visa fler...
-
Janzén, Erik, 19 ...
-
Gogova, Daniela, ...
-
Monemar, Bo, 194 ...
-
Heuken, M.
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Cryst ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet