Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-38862" >
Uniform hot-wall MO...
Uniform hot-wall MOCVD epitaxial growth of 2 inch AlGaN/GaN HEMT structures
-
- Kakanakova-Georgieva, Anelia, 1970- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Forsberg, Urban, 1971- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Ivanov, Ivan Gueorguiev, 1955- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa fler...
-
- Janzén, Erik, 1954- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2007
- 2007
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Crystal Growth, Vol. 300. - : Elsevier BV. - 0022-0248. ; , s. 100-103
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The hot-wall metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) concept has been applied to the growth of AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) device heterostructures on 2 inch 4H-SiC wafers. Due to the small vertical and horizontal temperature gradients inherent to the hot-wall MOCVD concept the variations of all properties of a typical HEMT heterostructure are very small over the wafer: GaN buffer layer thickness of 1.83 μm±1%, Al content of the AlxGa1-xN barrier of 27.7±0.1%, AlxGa1-xN barrier thickness of 25 nm±4%, sheet carrier density of 1.05×1013 cm-2±4%, pinch-off voltage of -5.3 V±3%, and sheet resistance of 449 Ω±1%.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas