Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-39535" >
Deep levels and car...
Deep levels and carrier compensation in V-doped semi-insulating 4H-SiC
-
- Nguyen, Son Tien, 1953- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Carlsson, Patrick, 1975- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Gällström, Andreas, 1978- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa fler...
-
- Magnusson, Björn, 1970- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Janzén, Erik, 1954- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2007
- 2007
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 91:20
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Electron paramagnetic resonance was used to study semi-insulating (SI) 4H-SiC substrates doped with vanadium (V) in the range of 5.5× 1015 -1.1× 1017 cm-3. Our results show that the electrical activation of V is low and hence only in heavily V-doped 4H-SiC, vanadium is responsible for the SI behavior, whereas in moderately V-doped substrates, the SI properties are thermally unstable and determined by intrinsic defects. We show that the commonly observed thermal activation energy Ea ∼1.1 eV in V-doped 4H-SiC may be related to deep levels of the carbon vacancy. © 2007 American Institute of Physics.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas