Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-43524" >
High-phase-purity z...
High-phase-purity zinc-blende InN on r -plane sapphire substrate with controlled nitridation pretreatment
-
Hsiao, C.L. (författare)
-
Liu, T.W. (författare)
-
Wu, C.T. (författare)
-
visa fler...
-
Hsu, H.C. (författare)
-
Hsu, G.M. (författare)
-
Chen, L.C. (författare)
-
Shiao, W.Y. (författare)
-
Yang, C.C. (författare)
-
- Gällström, Andreas, 1978- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Holtz, Per-Olof, 1951- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
Chen, C.C. (författare)
-
Chen, K.H. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2008
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 92:11
- Relaterad länk:
-
http://ntur.lib.ntu....
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- High-phase-purity zinc-blende (zb) InN thin film has been grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on r -plane sapphire substrate pretreated with nitridation. X-ray diffraction analysis shows that the phase of the InN films changes from wurtzite (w) InN to a mixture of w-InN and zb-InN, to zb-InN with increasing nitridation time. High-resolution transmission electron microscopy reveals an ultrathin crystallized interlayer produced by substrate nitridation, which plays an important role in controlling the InN phase. Photoluminescence emission of zb-InN measured at 20 K shows a peak at a very low energy, 0.636 eV, and an absorption edge at ∼0.62 eV is observed at 2 K, which is the lowest bandgap reported to date among the III-nitride semiconductors. © 2008 American Institute of Physics.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Hsiao, C.L.
-
Liu, T.W.
-
Wu, C.T.
-
Hsu, H.C.
-
Hsu, G.M.
-
Chen, L.C.
-
visa fler...
-
Shiao, W.Y.
-
Yang, C.C.
-
Gällström, Andre ...
-
Holtz, Per-Olof, ...
-
Chen, C.C.
-
Chen, K.H.
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
Applied Physics ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet