Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-44025" >
High internal quant...
High internal quantum efficiency, narrow linewidth emission InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum wire light-emitting diode
-
- Weman, Helge, 1960- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
Sirigu, L. (författare)
-
- Karlsson, Fredrik, 1974- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa fler...
-
Leifer, K. (författare)
-
Rudra, A. (författare)
-
Kapon, E. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 81:15, s. 2839-2841
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- High internal quantum efficiency (similar to60%), narrow linewidth (as narrow as 14 meV) exciton emission at room temperature has been obtained using strained InGaAs V-groove quantum wire (QWR) light-emitting diodes (LEDs). The high efficiency is achieved with the aid of selective carrier injection through self-ordered AlGaAs vertical quantum wells (VQWs), where the VQWs are separated from the InGaAs QWRs by thin GaAs spacer layers in order to reduce nonradiative recombination and inhomogeneous alloy broadening. Evidence for excitonic recombination in these LEDs up to RT is provided by measurements of the emission energy shifts at high magnetic fields.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas