Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-45010" >
Evaluation of optic...
Evaluation of optical quality and defect properties of GaNxP1−x alloys lattice matched to Si
-
- Izadifard, Morteza, 1965- (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Bergman, Peder, 1961- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Vorona, Igor, 1967- (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Chen, Weimin, 1959- (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Buyanova, Irina, 1960- (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Utsumi, A. (författare)
- Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi, Japan
-
- Furukawa, Y. (författare)
- Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi, Japan
-
- Moon, S. (författare)
- Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi, Japan
-
- Wakahara, A. (författare)
- Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi, Japan
-
- Yonezu, H. (författare)
- Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi, Japan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2004
- 2004
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 85, s. 6347-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- By using a variety of optical characterization techniques, including cathodoluminescence, temperature-dependent cw- and time-resolved photoluminescence (PL), and PL excitation spectroscopies, high optical quality of the GaN0.018P0.982 epilayers lattice matched to Si substrates is demonstrated and is shown to be comparable to that of the “state-of-the-art” GaNP alloys grown on GaP substrates. The growth of GaNP on Si is, however, found to facilitate the formation of several point defects, including complexes involving Ga interstitial atoms (Gai).
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
- Semiconductor physics
- Halvledarfysik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Izadifard, Morte ...
-
Bergman, Peder, ...
-
Vorona, Igor, 19 ...
-
Chen, Weimin, 19 ...
-
Buyanova, Irina, ...
-
Utsumi, A.
-
visa fler...
-
Furukawa, Y.
-
Moon, S.
-
Wakahara, A.
-
Yonezu, H.
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
Applied Physics ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet