Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-45089" >
Evidence for type I...
Evidence for type I band alignment in GaNAs/GaAs quantum structures by optical spectroscopies
-
- Buyanova, Irina, 1960- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Funktionella elektroniska material
-
- Pozina, Galia, 1966- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Hai, P. N. (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Chen, Weimin, 1959- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Funktionella elektroniska material
-
- Xin, H. P. (författare)
- Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, La Jolla, USA
-
- Tu, C. W. (författare)
- Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, La Jolla, USA
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier, 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: Physica. E, Low-Dimensional systems and nanostructures. - : Elsevier. - 1386-9477 .- 1873-1759. ; 13:2-4, s. 1074-1077
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Type I band line-up in GaNxAs1−x/GaAs multiple quantum wells (MQW) with xless-than-or-equals, slant3% is concluded based on the following experimental results: (i) a comparable radiative decay time of the GaNAs-related photoluminescence (PL) measured from single GaNAs epilayers and the GaNAs/GaAs MQW structures, (ii) the observed PL polarization, and (iii) the spatial confinement of photoexcited holes within the GaNAs layers under resonant excitation of the GaNAs MQW.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Buyanova, Irina, ...
-
Pozina, Galia, 1 ...
-
Hai, P. N.
-
Chen, Weimin, 19 ...
-
Xin, H. P.
-
Tu, C. W.
- Artiklar i publikationen
-
Physica. E, Low- ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet