Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-45105" >
Type I band alignme...
Type I band alignment in the GaNxAs1-x/GaAs quantum wells
-
- Buyanova, Irina, 1960- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Funktionella elektroniska material
-
- Pozina, Galia, 1966- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
Hai, P. N. (författare)
-
visa fler...
-
- Chen, Weimin, 1959- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Funktionella elektroniska material
-
Xin, H. P. (författare)
-
Tu, C. W. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - 1098-0121 .- 1550-235X. ; 63:3, s. 333031-333034
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Three independent experimental techniques, namely, time-resolved photoluminescence (PL) spectroscopy, PL polarization, and optically detected cyclotron resonance, are employed to determine the band alignment of GaNxAS1-x/GaAs quantum structures with a low-N composition. It is concluded that band lineup is type I based on the following experimental results: (i) comparable radiative decay time of the GaNAs-related emission measured from single GaNAs epilayers and from GaNAs/GaAs quantum well (QW) structures, (ii) polarization of the GaNAs-related emission, and (iii) spatial confinement of the photoexcited holes within the GaNAs layers under resonant excitation of the GaNAs QW's.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas