Thermal stability and doping efficiency of intrinsic modulation doping in InP-based structures

Buyanova, Irina,1960-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Funktionella elektroniska material (författare)

Doping efficiency and thermal stability of intrinsic modulation doping in InP/InGaAs heterostructures, where intrinsic defects (PInantisites) are used as an electron source, are investigated. A high efficiency of the intrinsic doping is demonstrated from a comparison between the intrinsically doped and conventional extrinsically doped structures. The thermal stability of the intrinsically doped heterostructures is shown to be largely affected by the thermal stability of the InP surface.

Chen, Weimin,1959-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Funktionella elektroniska material(Swepub:liu)weich55 (författare)
Bi, W. G. (författare)
Zeng, Y. P. (författare)
Tu, C. W. (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing75:12, s. 1733-0003-69511077-3118

Av författaren/redakt...: Buyanova, Irina, ...; Chen, Weimin, 19 ...; Bi, W. G.; Zeng, Y. P.; Tu, C. W.

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.