SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-45916"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-45916" > Dislocations at the...

Dislocations at the interface between sapphire and GaN

Lankinen, A. (författare)
Helsinki Univ Technol, Micro & Nanosci Lab, Espoo 02015, Finland
Lang, T. (författare)
Helsinki Univ Technol, Micro & Nanosci Lab, Espoo 02015, Finland
Suihkonen, S. (författare)
Helsinki Univ Technol, Micro & Nanosci Lab, Espoo 02015, Finland
visa fler...
Svensk, O. (författare)
Helsinki Univ Technol, Micro & Nanosci Lab, Espoo 02015, Finland
Saynatjoki, A. (författare)
Helsinki Univ Technol, Micro & Nanosci Lab, Espoo 02015, Finland
Tuomi, T. O. (författare)
Helsinki Univ Technol, Micro & Nanosci Lab, Espoo 02015, Finland
McNally, P. J. (författare)
Dublin City Univ, Res Inst Networks & Commun Engn, Dublin 9, Ireland
Odnoblyudov, M. (författare)
OptoGaN Oy, Espoo 02150, Finland
Bougrov, V. (författare)
OptoGaN Oy, Espoo 02150, Finland
Danilewsky, A. N. (författare)
Univ Freiburg, Inst Kristallog, D-79104 Freiburg, Germany
Bergman, Peder (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
Simon, R. (författare)
ANKA, Inst Synchrotron Radiat, Karlsruhe, Germany
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2007-06-27
2008
Engelska.
Ingår i: Journal of materials science. Materials in electronics. - : Springer Science and Business Media LLC. - 0957-4522 .- 1573-482X. ; 19:2, s. 143-148
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • GaN layers grown by metal organic vapour phase epitaxy on sapphire were imaged by synchrotron radiation X-ray topography. The threading dislocations could not be resolved in the topographs due to their high density, but a smaller density of about 10(5) cm(-2) defects were seen in the interface between GaN and sapphire by utilizing large-area back-reflection topography for the sapphire substrates. The misfit dislocation images in the topographs form a well-resolved cellular network, in which the average cell size is roughly 30 mu m. Different cell shapes in the misfit dislocation networks are observed on different samples. Also, images of small-angle grains of similar size were found in transmission section topographs of the GaN layers.

Nyckelord

TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy