Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-46026" >
A hydrogen-related ...
A hydrogen-related shallow donor in GaN?
-
- Monemar, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Paskov, Plamen (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Bergman, Peder (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa fler...
-
Iwaya, M (författare)
-
Kamiyama, S (författare)
-
Amano, H (författare)
-
Akasaki, I (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2006
- 2006
- Engelska.
-
Ingår i: Physica. B, Condensed matter. - : Elsevier BV. - 0921-4526 .- 1873-2135. ; 376, s. 460-463
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We present photoluminescence (PL) data for deliberately O-doped, high-resistive GaN samples where a new shallow donor-bound exciton (DBE) peak at about 3.4746 eV (corrected for strain shift) at 2 K appears. This DBE is strongly enhanced upon annealing in the entire range 450-900 degrees C. The possible relation of this DBE to a metastable H donor state is discussed. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
Nyckelord
- GaN
- hydrogen
- donor
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas