Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-46236" >
Optical and structu...
Optical and structural characteristics of virtually unstrained bulk-like GaN
-
- Gogova, Daniela (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
Kasic, A (författare)
-
- Larsson, Henrik (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
visa fler...
-
Pecz, B (författare)
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Magnusson, Björn (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Monemar, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
Tuomisto, F (författare)
-
Saarinen, K (författare)
-
Miskys, C (författare)
-
Stutzmann, M (författare)
-
Bundesmann, C (författare)
-
Schubert, M (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2004
- 2004
- Engelska.
-
Ingår i: Japanese Journal of Applied Physics. - 0021-4922 .- 1347-4065. ; 43:4A, s. 1264-1268
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Bulk-like GaN with high structural and optical quality has been attained by hydride vapor-phase exitapy (HVPE). The as-grown 330 mum-thick GaN layer was separated from the sapphire substrate by a laser-induced lift-off process. The full width at half maximum values of the X-ray diffraction (XRD) omega-scans of the free-standing material are 96 and 129 arcsec for the (1 0 -1 4) and (0 0 0 2) reflection, respectively, which rank among the smallest values published so far for free-standing HVPE-GaN. The dislocation density determined by plan-view TEM images is 1-2 x 10(7) cm(-2). Positron annihilation spectroscopy studies show that the concentration of Ga vacancy related defects is about 1.5 x 10(16) cm(-3). The high-resolution XRD, photoluminescence, mu-Raman, and infrared spectroscopic ellipsometry measurements consistently prove that the free-standing material is of high crystalline quality and virtually strain-free. Therefore it is suitable to serve as a substrate for stress-free growth of high-quality III-nitrides based device heterostructures.
Nyckelord
- GaN
- HVPE
- bulk-like
- optical and structural characteristics
- stress-free
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Gogova, Daniela
-
Kasic, A
-
Larsson, Henrik
-
Pecz, B
-
Yakimova, Rosits ...
-
Magnusson, Björn
-
visa fler...
-
Monemar, Bo
-
Tuomisto, F
-
Saarinen, K
-
Miskys, C
-
Stutzmann, M
-
Bundesmann, C
-
Schubert, M
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
Japanese Journal ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet