Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-46480" >
Magnetic-field-indu...
Magnetic-field-induced localization of electrons in InGaN/GaN multiple quantum wells
-
- Arnaudov, B. (författare)
- Faculty of Physics, Sofia University, 1164 Sofia, Bulgaria
-
- Paskova, Tanja (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Valassiades, O. (författare)
- Aristoteles Univ. of Thessaloniki, Solid State Physics Section, 54124 Thessaloniki, Greece
-
visa fler...
-
- Paskov, Plamen (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Evtimova, S. (författare)
- Faculty of Physics, Sofia University, 1164 Sofia, Bulgaria
-
- Monemar, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Heuken, M. (författare)
- AIXTRON AG, D-52072 Aachen, Germany
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2003
- 2003
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 83:13, s. 2590-2592
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A study was performed on the magnetic-field-induced localization of electrons in InGaN/GaN multiple quantum wells (MQW). A stepwise behavior of both the Hall coefficient and magnetoresistivity was observed. The peculiarities were explained by a magnetic-field-induced localization of electrons in a two-dimensional (2D) potential relief of the InGaN MQW.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas