Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-46549" >
Influence of surfac...
Influence of surface oxides on hydrogen-sensitive Pd : GaN Schottky diodes
-
- Weidemann, O. (författare)
- Walter Schottky Institute, Technical University Munich, Am Coulombwall 3, D-85748 Garching, Germany
-
- Hermann, M. (författare)
- Walter Schottky Institute, Technical University Munich, Am Coulombwall 3, D-85748 Garching, Germany
-
- Steinhoff, G. (författare)
- Walter Schottky Institute, Technical University Munich, Am Coulombwall 3, D-85748 Garching, Germany
-
visa fler...
-
- Wingbrant, Helena (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tillämpad Fysik
-
- Lloyd-Spets, Anita (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tillämpad Fysik
-
- Stutzmann, M. (författare)
- Walter Schottky Institute, Technical University Munich, Am Coulombwall 3, D-85748 Garching, Germany
-
- Eickhoff, M. (författare)
- Walter Schottky Institute, Technical University Munich, Am Coulombwall 3, D-85748 Garching, Germany
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2003
- 2003
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 83:4, s. 773-775
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Influence of surface oxides on hydrogen-sensitive Pd:GaN Schottky diodes was studied. Ex-situ fabricated devices show a sensitivity towards molecular hydrogen, which is about 50 times higher than for in situ deposited diodes. In situ deposited Pd Schottky contacts reveal lower barrier heights and drastically higher reverse currents.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas