Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-47280" >
Defect and stress r...
Defect and stress relaxation in HVPE-GaN films using high temperature reactively sputtered AlN buffer
-
- Paskova, Tanja (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
Valcheva, E. (författare)
-
- Birch, Jens (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
visa fler...
-
- Tungasmita, Sukkaneste (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Persson, Per (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
- Paskov, Plamen (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Evtimova, S. (författare)
- Faculty of Physics, Sofia University, 5, J. Bourchier blvd., 1164 Sofia, Bulgaria
-
- Abrashev, M. (författare)
- Faculty of Physics, Sofia University, 5, J. Bourchier blvd., 1164 Sofia, Bulgaria
-
- Monemar, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Crystal Growth. - 0022-0248 .- 1873-5002. ; 230:3-4, s. 381-386
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The influence of high temperature buffer layers on the structural characteristics of GaN grown by hydride vapour phase epitaxy on sapphire was investigated. Strain relaxation as well as mismatch-induced defect reduction in thick GaN layers grown on AlN buffer was microscopically identified using cathodoluminescence and micro-Raman spectroscopy in cross-section of the films. The results were correlated with photoluminescence and Hall-effect data of layers with different thicknesses. These relaxation processes were suggested to account for the specific defect distribution in the buffers revealed by high-resolution X-ray diffraction and transmission electron microscopy. © 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Nyckelord
- A1. Crystal structure
- A1. Defects
- A1. Optical microscopy
- A1. Stresses
- A3. Hydride vapor phase epitaxy
- B1. Nitrides
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas