Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-47416" >
Origin of abnormal ...
Origin of abnormal temperature dependence of electroluminescence from Er/O-doped Si diodes
-
- Hansson, Göran (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Yt- och Halvledarfysik
-
- Ni, Wei-Xin (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Yt- och Halvledarfysik
-
- Du, Chun-Xia (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
visa fler...
-
- Elfving, Anders (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Yt- och Halvledarfysik
-
Duteil, F. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 78:15, s. 2104-2106
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The temperature dependencies of the current-voltage characteristics and the electroluminescence (EL) intensity of molecular beam epitaxy grown Er/O-doped Si light emitting diodes at reverse bias have been studied. To minimize the scattering of electrons injected from the p-doped Si1-xGex electron emitters, an intrinsic Si layer was used in the depletion region. For many diodes, there is a temperature range where the EL intensity increases with temperature. Data are reported for a structure that shows increasing intensity up to 100°C. This is attributed to an increasing fraction of the pumping current being due to phonon-assisted tunneling, which gives a higher saturation intensity, compared to ionization-dominated breakdown at lower temperatures. © 2001 American Institute of Physics.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas