Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-47578" >
Luminescence and mi...
Luminescence and microstructure of Er/O co-doped Si structures grown by MBE using Er and SiO evaporation
- Artikel/kapitelEngelska2000
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-47578
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-47578URI
-
https://doi.org/10.1016/S1369-8001(00)00075-5DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
Er and O co-doped Si structures have been prepared using molecular-beam epitaxy (MBE) with fluxes of Er and O obtained from Er and silicon monoxide (SiO) evaporation in high-temperature cells. The incorporation of Er and O has been studied for concentrations of up to 2×1020 and 1×1021 cm-3, respectively. Surface segregation of Er can take place, but with O co-doping the segregation is suppressed and Er-doped layers without any indication of surface segregation can be prepared. Si1-xGex and Si1-yCy layers doped with Er/O during growth at different substrate temperatures show more defects than corresponding Si layers. Strong emission at 1.54µm associated with the intra-4f transition of Er3+ ions is observed in electroluminescence (EL) at room temperature in reverse-biased p-i-n-junctions. To optimize the EL intensity we have varied the Er/O ratio and the temperature during growth of the Er/O-doped layer. Using an Er-concentration of around 1×1020 cm-3 we find that Er/O ratios of 1:2 or 1:4 give higher intensity than 1:1 while the stability with respect to breakdown is reduced for the highest used O concentrations. For increasing growth temperatures in the range 400-575 °C there is an increase in the EL intensity. A positive effect of post-annealing on the photoluminescence intensity has also been observed.
Ämnesord och genrebeteckningar
-
TECHNOLOGY
-
TEKNIKVETENSKAP
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Du, Chun-XiaLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi(Swepub:liu)chudu39
(författare)
-
Joelsson, K.B.
(författare)
-
Persson, PerLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik(Swepub:liu)perpe25
(författare)
-
Hultman, LarsLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik(Swepub:liu)larhu75
(författare)
-
Pozina, GaliaLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)galpo50
(författare)
-
Ni, Wei-XinLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Yt- och Halvledarfysik(Swepub:liu)weini41
(författare)
-
Hansson, GöranLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Yt- och Halvledarfysik(Swepub:liu)gorha51
(författare)
-
Linköpings universitetTekniska högskolan
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Materials Science in Semiconductor Processing3:5-6, s. 523-5281369-80011873-4081
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas