onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-48300"
Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-48300" > Simple model for ca...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Simple model for calculation of SiC epitaxial layers growth rate in vacuum.
- Davydov, SY (författare)
- Savkina, NS (författare)
-
- Lebedev, Alexander (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2004
- 2004
- Engelska.
- Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 457-460. ; , s. 249-252
- Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Within the frame of a simple model, based on Hertz-Knudsen equation with account of temperature dependant sticking coefficient, temperature dependence of silicon carbide epitaxial layers growth rate in vacuum has been calculated. Calculation results are in a good agreement with the experimental data.
Nyckelord
- simple model
- growth rate
- sublimation epitaxy
- vacuum
- SiC
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Davydov, SY
- Savkina, NS
- Lebedev, Alexand ...
- Syväjärvi, Mikae ...
- Yakimova, Rosits ...
- Artiklar i publikationen
- Materials Scienc ...
- Av lärosätet
- Linköpings universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
