Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-48831" >
The effect of hydro...
The effect of hydrogen diffusion in p- and n-type SiC Schottky diodes at high temperatures
-
- Unéus, Lars (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tillämpad Fysik
-
- Nakagomi, S (författare)
- SSENCE, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Div Appl Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Royal Inst Technol, SE-16440 Kista, Sweden Ishinomaki Senshu Univ, Sch Engn, Ishinomaki 9868580, Japan
-
- Linnarsson, M (författare)
- KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT),SSENCE, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Div Appl Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Royal Inst Technol, SE-16440 Kista, Sweden Ishinomaki Senshu Univ, Sch Engn, Ishinomaki 9868580, Japan
-
visa fler...
-
- Jensen, Mona (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
Svensson, BG (författare)
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Syväjärvi, Mikael (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Henry, Anne (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Ekedahl, Lars-Gunnar (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Lunstrom, I (författare)
- SSENCE, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Div Appl Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Royal Inst Technol, SE-16440 Kista, Sweden Ishinomaki Senshu Univ, Sch Engn, Ishinomaki 9868580, Japan
-
- Lloyd-Spets, Anita (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tillämpad Fysik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393. ; , s. 1419-1422, s. 1419-1422
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We present here the effect of a hydrogen anneal at 600degreesC for Schottky sensor devices based on n- and p-type 4H SiC. The devices have gate contacts of Ta/Pt, or TaSix/Pt. The catalytic metal gate dissociates hydrogen and thus promotes diffusion of hydrogen atoms into the SiC, where the atoms will trap or react with different impurities, defects or surface states. This will change parameters such as the carrier concentrations, the defect density of the material or the surface resistivity at the SiC/SiO2 interface. The current-voltage and the capacitance-voltage characteristics were measured before and after annealing in hydrogen and oxygen containing atmosphere, and the results show a reversible effect in the I-V characteristics.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- annealing
- gas sensors
- high temperature
- hydrogen diffusion
- Schottky diodes
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
- Av författaren/redakt...
-
Unéus, Lars
-
Nakagomi, S
-
Linnarsson, M
-
Jensen, Mona
-
Svensson, BG
-
Yakimova, Rosits ...
-
visa fler...
-
Syväjärvi, Mikae ...
-
Henry, Anne
-
Janzén, Erik
-
Ekedahl, Lars-Gu ...
-
Lunstrom, I
-
Lloyd-Spets, Ani ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
- Materials Scienc ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet
-
Kungliga Tekniska Högskolan