Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-49137" >
Electronic structur...
Electronic structure of ultrathin Ge layers buried in Si(100)
-
- Nilsson, PO (författare)
- Department of Physics, Chalmers University of Technology, Göteborg, Sweden
-
- Mankefors, S (författare)
- Department of Informatics and Mathematics, University of Trollhättan/Uddevalla, Trollhättan, Sweden
-
- Guo, J (författare)
- Physics Department, Uppsala University, Uppsala, Sweden
-
visa fler...
-
- Nordgren, J (författare)
- Physics Department, Uppsala University, Uppsala, Sweden
-
- Debowska-Nilsson, D (författare)
- Institute of Physics, Jagellonian University, Krakow, Poland
-
- Ni, Wei-Xin (författare)
- Linköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan
-
- Hansson, Göran (författare)
- Linköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - 1098-0121 .- 1550-235X. ; 64:11
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Ultrathin Ge wetting layers, buried in Si(100), have been investigated by soft x-ray emission spectroscopy. With the assistance of ab initio density functional theory calculations the electronic structure of the layers could be established. In particular Si bulk states, splitted and resonating in the Ge layers, were identified.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas