Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-49387" >
Defect reduction in...
Defect reduction in HVPE growth of GaN and related optical spectra
-
- Paskova, Tanja (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Paskov, Plamen (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Darakchieva, Vanya (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa fler...
-
- Tungasmita, Sukkaneste (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Birch, Jens (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
- Monemar, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: Physica status solidi. A, Applied research. - 0031-8965 .- 1521-396X. ; 183:1, s. 197-203
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- GaN technology is still based on highly mismatched heteroepitaxial growth on foreign substrates, and therefore needs to overcome a high defect density and a high level of stress in the epitaxial layers. Various attempts have been made to reduce the defects and stress in thick GaN layers. We here report a reduction of the defect density in thick GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy, using regrowth on free-standing GaN films, as well as introducing an AlN buffer and AlN interlayer in the growth sequence. Special focus is put on the optical properties of the material.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas