SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-49599"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-49599" > Studying 3C-SiC epi...

Studying 3C-SiC epilayers grown on the (0001)C face of 6H-SiC substrates

Lebedev, A.A. (författare)
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, 194021, Russian Federation
Zelenin, V.V. (författare)
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, 194021, Russian Federation
Abramov, P.L. (författare)
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, 194021, Russian Federation
visa fler...
Lebedev, S.P. (författare)
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, 194021, Russian Federation
Smirnov, A.N. (författare)
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, 194021, Russian Federation
Sorokin, L.M. (författare)
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, 194021, Russian Federation
Shcheglov, M.P. (författare)
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, 194021, Russian Federation
Yakimova, Rositsa (författare)
Linköpings universitet,Nanostrukturerade material,Tekniska högskolan
visa färre...
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St Petersburg, 194021, Russian Federation Nanostrukturerade material (creator_code:org_t)
2007
2007
Engelska.
Ingår i: Technical physics letters. - 1063-7850 .- 1090-6533. ; 33:6, s. 524-526
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Epitaxial 3C-SiC films grown on the (0001)C face of 6H-SiC substrates by sublimation epitaxy in vacuum have been studied. The results of x-ray diffraction measurements show evidence of a rather high structural perfection of silicon carbide epilayers. The Raman spectroscopy data confirm that the 3C-SiC layer grows immediately on the 6H-SiC substrate without any transition layers. It is concluded that the structures under consideration are well suited for the investigation of a two-dimensional electron gas at the 3C-SiC/6C-SiC heterojunction. © Nauka/Interperiodica 2007.

Nyckelord

NATURAL SCIENCES
NATURVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy