Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-49811" >
Interface structure...
Interface structure of hydride vapor phase epitaxial GaN grown with high-temperature reactively sputtered AlN buffer
-
- Valcheva, E (författare)
- Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, S-58183 Linkoping, Sweden
-
- Paskova, Tanja (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Tungasmita, Sukkaneste (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
visa fler...
-
- Persson, Per (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
- Birch, Jens (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
Svedberg, EB (författare)
-
- Hultman, Lars (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
- Monemar, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2000
- 2000
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 76:14, s. 1860-1862
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Thick hydride vapor phase epitaxy GaN layers have been grown on a-plane sapphire using high-temperature ion-assisted reactively sputtered AlN as a buffer layer. Transmission electron microscopy and atomic force microscopy were carried out to study the formation of the two interfaces sapphire/AlN and AlN/GaN, and their influence on the microstructure of both the buffer layer and the main GaN layer. It was demonstrated that the high-temperature reactively sputtered buffer layer provides a good alternative for hydride vapor phase epitaxy growth of GaN layers. In particular, the buffer promotes a specific interface ordering mechanism different from that observed on low-temperature buffers. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0003-6951(00)00314-4].
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas