Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-49895" >
Step-bunching in 6H...
Step-bunching in 6H-SiC growth by sublimation epitaxy
-
- Syväjärvi, Mikael (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
(creator_code:org_t)
- 1999
- 1999
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Physics. - 0953-8984 .- 1361-648X. ; 11:49, s. 10019-10024
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Thick 6H-SiC epitaxial layers grown by sublimation epitaxy have been investigated concerning step-bunching. The macrostep appearances on the surfaces were studied for both (0001) Si and (000 (1) over bar) C faces. The surface structure on the Si face is less regular compared with the C face. Data on the steps have been collected and the step height shows a linear relation with the step width.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas