Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-52772" >
Role of impurities ...
-
Darakchieva, VanyaLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
(författare)
Role of impurities and dislocations for the unintentional n-type conductivity in InN
- Artikel/kapitelEngelska2009
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
Elsevier BV,2009
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-52772
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-52772URI
-
https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.09.042DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
We present a study on the role of dislocations and impurities for the unintentional n-type conductivity in high-quality InN grown by molecular beam epitaxy. The dislocation densities and H profiles in films with free electron concentrations in the low 10(17) cm(-1) and mid 10(18) cm(-3) range are measured, and analyzed in a comparative manner. It is shown that dislocations alone could not account for the free electron behavior in the InN films. On the other hand, large concentrations of H sufficient to explain, but exceeding substantially, the observed free electron densities are found. Furthermore, enhanced concentrations of H are revealed at the film surfaces, resembling the free electron behavior with surface electron accumulation. The low-conductive film was found to contain C and it is suggested that C passivates the H donors or acts as an acceptor, producing compensated material in this case. Therefore, it is concluded that the unintentional impurities play an important role for the unintentional n-type conductivity in InN. We suggest a scenario of H incorporation in InN that may reconcile the previously reported observations for the different role of impurities and dislocations for the unintentional n-type conductivity in InN.
Ämnesord och genrebeteckningar
-
TECHNOLOGY
-
TEKNIKVETENSKAP
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Barradas, N PInstitute Tecnol and Nucl, P-2686953 Sacavem, Portugal CFNUL, P-1649003 Lisbon, Portugal
(författare)
-
Xie, MengyaoLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)menxi76
(författare)
-
Lorenz, KInstitute Tecnol and Nucl, P-2686953 Sacavem, Portugal CFNUL, P-1649003 Lisbon, Portugal
(författare)
-
Alves, EInstitute Tecnol and Nucl, P-2686953 Sacavem, Portugal CFNUL, P-1649003 Lisbon, Portugal
(författare)
-
Schubert, MUniversity Nebraska, Department Elect Engn, Lincoln, NE 68588 USA
(författare)
-
Persson, PerLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)perpe25
(författare)
-
Giuliani, FinnLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan(Swepub:liu)fingi88
(författare)
-
Munnik, FForschungszentrum Dresden Rossendorf, D-01314 Dresden, Germany
(författare)
-
Hsiao, Ching-LienLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan(Swepub:liu)chihs76
(författare)
-
Tu, L WNatl Sun Yat Sen University, Department Phys, Kaohsiung 80424, Taiwan Natl Sun Yat Sen University, Centre Nanosci and Nanotechnol, Kaohsiung 80424, Taiwan
(författare)
-
Schaff, W JCornell University, Department Elect and Comp Engn, Ithaca, NY 14853 USA
(författare)
-
Linköpings universitetHalvledarmaterial
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:PHYSICA B-CONDENSED MATTER: Elsevier BV404:22, s. 4476-44810921-4526
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Darakchieva, Van ...
-
Barradas, N P
-
Xie, Mengyao
-
Lorenz, K
-
Alves, E
-
Schubert, M
-
visa fler...
-
Persson, Per
-
Giuliani, Finn
-
Munnik, F
-
Hsiao, Ching-Lie ...
-
Tu, L W
-
Schaff, W J
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
PHYSICA B-CONDEN ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet