Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-53565" >
Si/SiGe/Si : Er : O...
Si/SiGe/Si : Er : O light-emitting transistors prepared by differential molecular-beam epitaxy
-
- Du, Chun-Xia (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Duteil, Fabrice (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Hansson, Göran (författare)
- Linköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Ni, Wei-Xin (författare)
- Linköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 78:12, s. 1697-1699
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Si/SiGe/Si:Er:O heterojunction bipolar transistor (HBT) type light-emitting devices with Er3+ ions incorporated in the collector region have been fabricated using a layered structure grown by differential molecular-beam epitaxy. Electroluminescence measurements on processed light-emitting HBTs can be performed in either constant driving current mode or constant applied bias mode, which is an important advantage over conventional Si:Er light-emitting diodes. Intense room-temperature light emission at the Er3+ characteristic wavelength of 1.54 mum has been observed at low driving current density, e.g., 0.1 A cm(-2), and low applied bias, e.g., 3 V, across the collector and emitter. (C) 2001 American Institute of Physics.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas