Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-54068" >
Thermal instability...
Thermal instability of implanted Mn ions in ZnO
-
- Sans, J A (författare)
- European Synchrotron Radiation Facility
-
- Martinez-Criado, G (författare)
- European Synchrotron Radiation Facility
-
- Susini, J (författare)
- European Synchrotron Radiation Facility
-
visa fler...
-
- Sanz, R (författare)
- CSIC
-
- Jensen, Jens (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Minguez, I (författare)
- CSIC
-
- Hernandez-Velez, M (författare)
- University Autonoma Madrid
-
- Labrador, A (författare)
- ESRF
-
- Carpentier, P (författare)
- CNRS CEA UJF
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2010
- 2010
- Engelska.
-
Ingår i: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - : AIP Publishing. - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 107:2, s. 023507-
- Relaterad länk:
-
https://digital.csic...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- This letter reports on the site configuration of implanted Mn cations in ZnO. The samples studied were obtained by means of ion implantation in m-plane ZnO single crystals. Synchrotron radiation based fluorescence shows no contamination during the implantation process. The results of micro-x-ray absorption spectroscopy indicate that Mn ions are located in substitutional sites without detectable traces of secondary phases. The postgrowth thermal annealing in O-2 atmosphere induces a change in the coordination of a large amount of Mn cations, corresponding to alpha-Mn2O3.
Nyckelord
- annealing
- ferromagnetic materials
- fluorescence
- II-VI semiconductors
- ion implantation
- manganese
- semiconductor growth
- semimagnetic semiconductors
- synchrotron radiation
- wide band gap semiconductors
- X-ray absorption spectra
- zinc compounds
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas