Properties of 3C-SiC Grown by Sublimation Epitaxy on Different Type of Substrates

Beshkova, MilenaLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan (författare)

3C-SiC layers have been grown by using sublimation epitaxy at a temperature of 2000 degrees C, on different types of on-axis 6H-SiC(0001) substrates. The influence of the type of substrate on the morphology of the layers investigated by Atomic Force Microscopy (AFM) is discussed. Stacking faults are studied by reciprocal space map (RSM) which shows that double positions domains exists.

Lorenzzi, J.UMR-CNRS (författare)
Jegenyes, N.UMR-CNRS (författare)
Birch, JensLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)jenbi91 (författare)
Syväjärvi, MikaelLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)miksy08 (författare)
Ferro, G.UMR-CNRS (författare)
Yakimova, RositsaLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)rosia15 (författare)
Linköpings universitetHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Ingår i:Materials Science Forum, Vols. 645-648: Transtec Publications; 1999, s. 183-186

Av författaren/redakt...: Beshkova, Milena; Lorenzzi, J.; Jegenyes, N.; Birch, Jens; Syväjärvi, Mikae ...; Ferro, G.; visa fler...; Yakimova, Rosits ...; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.