Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-60692" >
Bistable defects in...
Bistable defects in low-energy electron irradiated n-type 4H-SiC
-
- Beyer, Franziska (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Hemmingsson, Carl (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Pedersen, Henrik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Henry, Anne (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Isoya, J (författare)
- University of Tsukuba
-
- Morishita, N (författare)
- Japan Atomic Energy Agency
-
- Ohshima, T (författare)
- Japan Atomic Energy Agency
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2010-07-20
- 2010
- Engelska.
-
Ingår i: PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS. - : John Wiley and Sons, Ltd. - 1862-6254. ; 4:8-9, s. 227-229
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Epitaxial n-type 4H-SiC layers were irradiated at room temperature by low-energy electrons. During the annihilation process of the irradiation induced defects EH I and EH3, three new bistable centers, labeled EB centers, were detected in the DLTS spectrum. The reconfigurations of the EB centers (I -andgt; II and II -andgt; I) take place at room temperature with a thermal reconfiguration energy of about 0.95 eV. The threshold energy for moving the Si atom from its site in the SiC crystal structure is higher than the applied irradiation energy; therefore, the EB centers are attributed to carbon related complex defects.
Nyckelord
- crystal microstructure
- vacancies
- defects
- radiation effects
- semiconductors
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas