Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-62869" >
Investigation of do...
Investigation of domain evolution in sublimation epitaxy of SiC
-
- Tuominen, M. (författare)
- Outokumpu Semitronic AB, Ekerö
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Kakanakova-Georgieva, Anelia, 1970- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa fler...
-
- MacMillan, M.F. (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Syväjärvi, Mikael (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 1998
- 1998
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Crystal Growth. - 0022-0248 .- 1873-5002. ; 193:1-2, s. 101-108
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- High resolution X-ray diffractometry has been applied to study domain misorientation in SiC epi-layers grown by the sublimation epitaxy method. A pronounced effect of the growth conditions on the mosaicity of the epi-layer has been observed. The results are discussed in terms of domain evolution and structural changes during the epi-growth under different growth conditions.
Nyckelord
- Silicon carbide; Sublimation epitaxy; X-ray diffraction; Domain misorientation
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas