Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-63254" >
Phosphorus-related ...
Phosphorus-related interfacial defect complex at a GaP/GaNP heterojunction
-
- Dagnelund, Daniel (författare)
- Linköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan
-
- Vorona, Igor P (författare)
- Linköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan
-
- Vlasenko, Leonid S (författare)
- Linköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Wang, Xingjun (författare)
- Linköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan
-
- Utsumi, A (författare)
- University of Technology, Toyohashi, Aichi, Japan
-
- Furukawa, Y (författare)
- University of Technology, Toyohashi, Aichi, Japan
-
- Wakahara, A (författare)
- University of Technology, Toyohashi, Aichi, Japan
-
- Yonezu, H (författare)
- University of Technology, Toyohashi, Aichi, Japan
-
- Buyanova, Irina A (författare)
- Linköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan
-
- Chen, Weimin (författare)
- Linköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2010
- 2010
- Engelska.
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- For full exploration of dilute nitrides in device applications, a better understanding and control of defects located at interfaces involving e.g. Ga(In)NP are required. In this work we report on the first identification of a point defect situated at an interface between two semiconductors: GaNP and GaP. The defect is concluded to be a complex involving a P antisite or a P interstitial in its core, partnered with a neighboring impurity/defect aligned along a <111> direction, from detailed angular dependence studies of the optically detected magnetic resonance (ODMR) spectra at both X- and Q-band microwave frequencies. The principal g and A values, g┴=2.013, g║=2.002, A┴=130x10-4 cm-1 and A║=330x10-4 cm-1, are obtained from a spin Hamiltonian analysis. The interface nature of the defect is clearly evident from the absence of the ODMR lines originating from two out of four equivalent <111> orientations. Defect formation is shown to be facilitated by severe nitrogen ion bombardment under non-equilibrium growth conditions during solid-source molecular beam epitaxy and the defect is thermally stable upon post-growth thermal annealing.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Semiconductor physics
- Halvledarfysik
Publikations- och innehållstyp
- vet (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
- Av författaren/redakt...
-
Dagnelund, Danie ...
-
Vorona, Igor P
-
Vlasenko, Leonid ...
-
Wang, Xingjun
-
Utsumi, A
-
Furukawa, Y
-
visa fler...
-
Wakahara, A
-
Yonezu, H
-
Buyanova, Irina ...
-
Chen, Weimin
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet