Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-73296" >
Two-domain formatio...
Two-domain formation during the epitaxial growth of GaN (0001) on c-plane Al2O3 (0001) by high power impulse magnetron sputtering
-
- Muhammad, Junaid (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Lundin, Daniel (författare)
- Linköpings universitet,Plasma och ytbeläggningsfysik,Tekniska högskolan
-
- Palisaitis, Justinas (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Hsiao, Ching-Lien (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Darakchieva, Vanya (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Jensen, Jens (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Persson, Per, 1971- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Sandström, Per (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Lai, W-J (författare)
- National Taiwan University,Center for Condensed Matter Sciences
-
- Chen, L-C (författare)
- National Taiwan University,Center for Condensed Matter Sciences
-
- Chen, K-H (författare)
- National Taiwan University,Center for Condensed Matter Sciences
-
- Helmersson, Ulf (författare)
- Linköpings universitet,Plasma och ytbeläggningsfysik,Tekniska högskolan
-
- Hultman, Lars (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Birch, Jens (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- American Institute of Physics (AIP), 2011
- 2011
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Applied Physics. - : American Institute of Physics (AIP). - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 110:12, s. 123519-
- Relaterad länk:
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
https://aip.scitatio...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We study the effect of high power pulses in reactive magnetron sputter epitaxy on the structural properties of GaN (0001) thin films grown directly on Al2O3 (0001) substrates. The epilayers are grown by sputtering from a liquid Ga target, using a high power impulse magnetron sputtering power supply in a mixed N2/Ar discharge. X-ray diffraction, micro-Raman, micro-photoluminescence, and transmission electron microscopy investigations show the formation of two distinct types of domains. One almost fully relaxed domain exhibits superior structural and optical properties as evidenced by rocking curves with a full width at half maximum of 885 arc sec and a low temperature band edge luminescence at 3.47 eV with the full width at half maximum of 10 meV. The other domain exhibits a 14 times higher isotropic strain component, which is due to the higher densities of the point and extended defects, resulting from the ion bombardment during growth. Voids form at the domain boundaries. Mechanisms for the formation of differently strained domains, along with voids during the epitaxial growth of GaN are discussed.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Muhammad, Junaid
-
Lundin, Daniel
-
Palisaitis, Just ...
-
Hsiao, Ching-Lie ...
-
Darakchieva, Van ...
-
Jensen, Jens
-
visa fler...
-
Persson, Per, 19 ...
-
Sandström, Per
-
Lai, W-J
-
Chen, L-C
-
Chen, K-H
-
Helmersson, Ulf
-
Hultman, Lars
-
Birch, Jens
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Appli ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet