Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-77453" >
Low Temperature Pho...
Low Temperature Photoluminescence Signature of Stacking Faults in 6H-SiC Epilayers Grown on Low Angle Off-axis Substrates
-
- Sun, Jianwu (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Robert, T. (författare)
- Université Montpellier 2, France
-
- Jokubavicius, Valdas (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Juillaguet, S. (författare)
- Université Montpellier 2, France
-
- Yakimova, Rositza (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Syväjärvi, Mikael (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Camassel, J. (författare)
- CNRS, Laboratoire Charles Coulomb, Montpellier, France
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications Inc. 2012
- 2012
- Engelska.
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The radiative recombination spectra of 6H-SiC epilayers grown on low angle (1.4° off-axis) substrates have been investigated by low temperature photoluminescence spectroscopy. Four different types of stacking faults have been identified, together with the presence of 3C-SiC inclusions. From the energy of the momentum-conserving phonons, four excitonic band gap energies have been found with Egx equal to 2.837, 2.698, 2.600 and 2.525 eV. These photoluminescence features, which give a rapid and non-destructive approach to identify stacking faults in 6H-SiC, provide a direct feedback to improve the material growth.
Nyckelord
- Temperature Photoluminescence
- Stacking Fault
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)