Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-87064" >
Intrinsic, n- and p...
Intrinsic, n- and p-doped a-Si:H thin films grown by DC magnetron sputtering with doped targets
-
- Johansson, Å. A. (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Järrendahl, Kenneth (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Birch, Jens (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Hjörvarsson, B. (författare)
- Dept. of Physics, Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden
-
- Arwin, Hans (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 1999
- 1999
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Research Society Symposium Proceedings. - 0272-9172 .- 1946-4274. ; 557, s. 31-36
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Intrinsic, n- and p-type a-Si:H films were deposited by dc magnetron sputtering and analyzed with several techniques. The films were synthesized in a reactive Ar-Ha atmosphere giving H contents in the range of 3-20 at %. The films were sputtered from pure silicon targets and doped silicon targets with 1 at % B or P. Doping by co-sputtering from composite Si/B4C targets was also explored. The doping concentrations were 3 × 1020 - 2 × 1021 cm-3 for the p-type films and 2.6-2.9 × 1019cm-3 for the n-type films. The conductivity was in the range lO'MO"4 cm-1 for p-doped films and 10-5 Cl cm-1 for the best n-doped films. Band gap estimations were obtained from dielectric function data and showed an increase with hydrogen content. A comparison to device quality PECVD-samples was also made.
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas