Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-90901" >
Electrical properti...
Electrical properties of n-Zn0.94Cd0.06O/p-SiC heterostructures
-
- Shtepliuk, I (författare)
- Kiev, Ukraine
-
- Khranovskyy, Volodymyr (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Lashkarev, G (författare)
- Kiev, Ukraine
-
visa fler...
-
- Khomyak, V. (författare)
- Chernivtsi, Ukraine
-
- Lazorenko, V (författare)
- Kiev, Ukraine
-
- Ievtushenko, A (författare)
- Kiev, Ukraine
-
- Syväjärvi, Mikael (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Jokubavicius, Valdas (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2013
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: Solid-State Electronics. - : Elsevier BV. - 0038-1101 .- 1879-2405. ; 81, s. 72-77
- Relaterad länk:
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
http://liu.diva-port...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We report the low-temperature (250 °C) fabrication of n-ZnCdO/p-SiC heterostructures by direct current magnetron sputtering (DC MS) technique. As-grown heterostructures exhibit diode characteristics: current–voltage measurements showed a typical rectifying characteristic of a p–n junction and the presence of series resistance. It is found that the turn-on voltage of heterostructures depends on the acceptor concentration in p-SiC. Via Cd doping of ZnO the energy barrier for holes can be lowered, which promotes the hole injection from the p-type layer to the n-type layer as well as favors the radiative recombination in the n-ZnCdO layer.
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas