Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:lnu-127898" >
Reversible Transiti...
Reversible Transition of Semiconducting PtSe2 and Metallic PtTe2 for Scalable All-2D Edge-Contacted FETs
-
- Han, Sang Sub (författare)
- Univ Cent Florida, USA
-
- Sattar, Shahid (författare)
- Linnéuniversitetet,Institutionen för fysik och elektroteknik (IFE)
-
- Kireev, Dmitry (författare)
- Univ Texas Austin, USA;Univ Massachusetts, USA
-
visa fler...
-
- Shin, June-Chul (författare)
- Univ Cent Florida, USA;Seoul Natl Univ, Republic of Korea
-
- Bae, Tae-Sung (författare)
- Korea Basic Sci Inst, Republic of Korea
-
- Ryu, Hyeon Ih (författare)
- Korea Basic Sci Inst, Republic of Korea
-
- Cao, Justin (författare)
- Univ Cent Florida, USA
-
- Shum, Alex Ka (författare)
- Univ Cent Florida, USA
-
- Kim, Jung Han (författare)
- Dong A Univ, Republic of Korea
-
- Canali, Carlo M. (författare)
- Linnéuniversitetet,Institutionen för fysik och elektroteknik (IFE)
-
- Akinwande, Deji (författare)
- Univ Texas Austin, USA
-
- Lee, Gwan-Hyoung (författare)
- Seoul Natl Univ, Republic of Korea
-
- Chung, Hee-Suk (författare)
- Korea Basic Sci Inst, Republic of Korea
-
- Jung, Yeonwoong (författare)
- Univ Cent Florida, USA
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- American Chemical Society (ACS), 2024
- 2024
- Engelska.
-
Ingår i: Nano Letters. - : American Chemical Society (ACS). - 1530-6984 .- 1530-6992. ; 24:6, s. 1891-1900
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenide (TMD) layers are highly promising as field-effect transistor (FET) channels in the atomic-scale limit. However, accomplishing this superiority in scaled-up FETs remains challenging due to their van der Waals (vdW) bonding nature with respect to conventional metal electrodes. Herein, we report a scalable approach to fabricate centimeter-scale all-2D FET arrays of platinum diselenide (PtSe2) with in-plane platinum ditelluride (PtTe2) edge contacts, mitigating the aforementioned challenges. We realized a reversible transition between semiconducting PtSe2 and metallic PtTe2 via a low-temperature anion exchange reaction compatible with the back-end-of-line (BEOL) processes. All-2D PtSe2 FETs seamlessly edge-contacted with transited metallic PtTe2 exhibited significant performance improvements compared to those with surface-contacted gold electrodes, e.g., an increase of carrier mobility and on/off ratio by over an order of magnitude, achieving a maximum hole mobility of similar to 50.30 cm(2) V-1 s(-1) at room temperature. This study opens up new opportunities toward atomically thin 2D-TMD-based circuitries with extraordinary functionalities.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- 2D PtTe2 layer
- 2D PtSe2 layer
- anion exchange
- chemical transition
- edge contact
- 2D TMD heterostructure
- Electrotechnology
- Elektroteknik alt Electrical engineering
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Han, Sang Sub
-
Sattar, Shahid
-
Kireev, Dmitry
-
Shin, June-Chul
-
Bae, Tae-Sung
-
Ryu, Hyeon Ih
-
visa fler...
-
Cao, Justin
-
Shum, Alex Ka
-
Kim, Jung Han
-
Canali, Carlo M.
-
Akinwande, Deji
-
Lee, Gwan-Hyoung
-
Chung, Hee-Suk
-
Jung, Yeonwoong
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
- Artiklar i publikationen
-
Nano Letters
- Av lärosätet
-
Linnéuniversitetet