SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:miun-37631"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:miun-37631" > Understanding dipol...

  • Lixing, ZhouKey Lab. of Microelectron. Devices & Integrated Technol., Inst. of Microelectron., Beijing, China (författare)

Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface

  • Artikel/kapitelEngelska2018

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • AIP Publishing,2018
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:miun-37631
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:miun:diva-37631URI
  • https://doi.org/10.1063/1.5049423DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • Band alignment and dipole formation at the hetero-interface still remain fascinating and, hence, are being intensively investigated. In this study, we experimentally investigate the dipole formation by employing a dielectric/dielectric (Al2O3/GeO2) interface. We investigate the dipole dependence on various post-deposition annealing (PDA) ambiences from the viewpoints of electrical extraction and the X-ray photoelectron spectroscopy measurement. The core level shift at the Al2O3/GeO2 interface is consistent with the dipole changes in various PDA ambiences. We discover that the dipole formation can be well explained by the interface gap state and charge neutrality level theory. These results further confirm the feasibility of gap state theory in explaining the band alignment at hetero-junctions. This study can be a booster to enhance the comprehension of dipole origin at hetero-junction interfaces.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Xiaolei, WangKey Lab. of Microelectron. Devices & Integrated Technol., Inst. of Microelectron., Beijing, China (författare)
  • Kai, HanDept. of Phys. & Electron. Sci., Weifang Univ., Weifang, China (författare)
  • Xueli, MaKey Lab. of Microelectron. Devices & Integrated Technol., Inst. of Microelectron., Beijing, China (författare)
  • Yanrong, WangMicroelectron. Dept., North China Univ. of Technol., Beijing, China (författare)
  • Jinjuan, XiangKey Lab. of Microelectron. Devices & Integrated Technol., Inst. of Microelectron., Beijing, China (författare)
  • Hong, YangKey Lab. of Microelectron. Devices & Integrated Technol., Inst. of Microelectron., Beijing, China (författare)
  • Jing, ZhangMicroelectron. Dept., North China Univ. of Technol., Beijing, China (författare)
  • Chao, ZhaoKey Lab. of Microelectron. Devices & Integrated Technol., Inst. of Microelectron., Beijing, China (författare)
  • Tianchun, YeKey Lab. of Microelectron. Devices & Integrated Technol., Inst. of Microelectron., Beijing, China (författare)
  • Radamson, Henry H.Key Lab. of Microelectron. Devices & Integrated Technol., Inst. of Microelectron., Beijing, China,Detektorer och fotonik(Swepub:miun)henrad (författare)
  • Wenwu, WangKey Lab. of Microelectron. Devices & Integrated Technol., Inst. of Microelectron., Beijing, China (författare)
  • Key Lab. of Microelectron. Devices & Integrated Technol., Inst. of Microelectron., Beijing, ChinaDept. of Phys. & Electron. Sci., Weifang Univ., Weifang, China (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing113:180003-69511077-3118

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy