Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:miun-41547" >
Vertical Sandwich Gate-All-Around Field-Effect Transistors with Self-Aligned High-k Metal Gates and Small Effective-Gate-Length Variation
- Artikel/kapitelEngelska2020
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.2020
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:miun-41547
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:miun:diva-41547URI
-
https://doi.org/10.1109/LED.2019.2954537DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
A new type of vertical nanowire (NW)/nanosheet (NS) field-effect transistors (FETs), termed vertical sandwich gate-all-around (GAA) FETs (VSAFETs), is presented in this work. Moreover, an integration flow that is compatible with processes used in the mainstream industry is proposed for the VSAFETs. Si/SiGe epitaxy, isotropic quasi-atomic-layer etching (qALE), and gate replacement were used to fabricate pVSAFETs for the first time. Vertical GAA FETs with self-aligned high-k metal gates and a small effective-gate-length variation were obtained. Isotropic qALE, including Si-selective etching of SiGe, was developed to control the diameter/thickness of the NW/NS channels. NWs with a diameter of 10 nm and NSs with a thickness of 20 nm were successfully fabricated, and good device characteristics were obtained. Finally, the device performance was investigated and is discussed in this work. © 2019 IEEE.
Ämnesord och genrebeteckningar
-
atomic layer etching (ALE)
-
gate-all-around (GAA)
-
Si cap
-
SiGe channel
-
Vertical nanowire
-
Etching
-
Gates (transistor)
-
Nanowires
-
Atomic layer etching
-
Device characteristics
-
Effective gate length
-
Field effect transistor (FETs)
-
Gate-all-around
-
HIGH-K metal gates
-
SiGe channels
-
Vertical nanowires
-
Si-Ge alloys
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Yang, H.
(författare)
-
Xie, L.
(författare)
-
Ai, X. Z.
(författare)
-
Zhang, Y. B.
(författare)
-
Jia, K. P.
(författare)
-
Wu, Z. H.
(författare)
-
Ma, X. L.
(författare)
-
Zhang, Q. Z.
(författare)
-
Mao, S. J.
(författare)
-
Xiang, J. J.
(författare)
-
Zhang, Y.
(författare)
-
Gao, J. F.
(författare)
-
He, X. B.
(författare)
-
Bai, G. B.
(författare)
-
Lu, Y. H.
(författare)
-
Zhou, N.
(författare)
-
Kong, Z. Z.
(författare)
-
Zhao, J.
(författare)
-
Ma, S. S.
(författare)
-
Xuan, Z. H.
(författare)
-
Zhu, H.
(författare)
-
Li, Y. Y.
(författare)
-
Li, L.
(författare)
-
Zhang, Q. H.
(författare)
-
Han, J. H.
(författare)
-
Chen, R. L.
(författare)
-
Qu, Y.
(författare)
-
Yang, T.
(författare)
-
Luo, J.
(författare)
-
Li, J. F.
(författare)
-
Yin, H. X.
(författare)
-
Wang, G. L.
(författare)
-
Radamson, Henry H.
(författare)
-
Zhao, C.
(författare)
-
Wang, W. W.
(författare)
-
Ye, T. C.
(författare)
-
Li, J. J.
(författare)
-
Du, A. Y.
(författare)
-
Li, C.
(författare)
-
Zhao, L. H.
(författare)
-
Huang, W. X.
(författare)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:IEEE Electron Device Letters: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.41:1, s. 8-110741-31061558-0563
Internetlänk
- Av författaren/redakt...
-
Yin, X.
-
Yang, H.
-
Xie, L.
-
Ai, X. Z.
-
Zhang, Y. B.
-
Jia, K. P.
-
visa fler...
-
Wu, Z. H.
-
Ma, X. L.
-
Zhang, Q. Z.
-
Mao, S. J.
-
Xiang, J. J.
-
Zhang, Y.
-
Gao, J. F.
-
He, X. B.
-
Bai, G. B.
-
Lu, Y. H.
-
Zhou, N.
-
Kong, Z. Z.
-
Zhao, J.
-
Ma, S. S.
-
Xuan, Z. H.
-
Zhu, H.
-
Li, Y. Y.
-
Li, L.
-
Zhang, Q. H.
-
Han, J. H.
-
Chen, R. L.
-
Qu, Y.
-
Yang, T.
-
Luo, J.
-
Li, J. F.
-
Yin, H. X.
-
Wang, G. L.
-
Radamson, Henry ...
-
Zhao, C.
-
Wang, W. W.
-
Ye, T. C.
-
Li, J. J.
-
Du, A. Y.
-
Li, C.
-
Zhao, L. H.
-
Huang, W. X.
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
IEEE Electron De ...
- Av lärosätet
-
Mittuniversitetet