Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-107876" >
Compensation in bor...
-
Gabrysch, MarkusUppsala universitet,Elektricitetslära
(författare)
Compensation in boron-doped CVD diamond
- Artikel/kapitelEngelska2008
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
Wiley,2008
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:uu-107876
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-107876URI
-
https://doi.org/10.1002/pssa.200879711DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
Hall-effect measurements on single crystal boron-doped CVD diamond in the temperature interval 80-450 K are presented together with SIMS measurements of the dopant concentration. Capacitance-voltage measurements on rectifying Schottky junctions manufactured on the boron-doped structures are also presented in this context. Evaluation of the compensating donor (N-D) and acceptor concentrations (N-A) show that in certain samples very low compensation ratios (N-D/N-A below 10(-4)) have been achieved. The influence of compensating donors on majority carrier transport and the significance for diamond device performance are briefly discussed.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Majdi, SamanUppsala universitet,Elektricitetslära(Swepub:uu)samma947
(författare)
-
Hallen, Anders
(författare)
-
Linnarsson, Margareta
(författare)
-
Schoner, Adolf
(författare)
-
Twitchen, Daniel
(författare)
-
Isberg, JanUppsala universitet,Elektricitetslära(Swepub:uu)jaisb133
(författare)
-
Uppsala universitetElektricitetslära
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Physica status solidi. A, Applications and Materials Science: Wiley205:9, s. 2190-21941862-6300
-
Ingår i:physica status solidi (a): Wiley205:9, s. 2190-21941862-6319
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas