Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-228019" >
Variation of Schott...
Variation of Schottky barrier height induced by dopant segregation monitored by contact resistivity measurements
-
- Luo, Jun (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
Qiu, Zhi-Jun (författare)
-
Deng, Jian (författare)
-
visa fler...
-
Zhao, Chao (författare)
-
Li, Junfeng (författare)
-
Wang, Wenwu (författare)
-
Chen, Dapeng (författare)
-
Wu, Dongping (författare)
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
Ye, Tianchun (författare)
-
- Zhang, Shi-Li (författare)
- KTH,Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2014
- 2014
- Engelska.
-
Ingår i: Microelectronic Engineering. - : Elsevier BV. - 0167-9317 .- 1873-5568. ; 120, s. 174-177
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Change of contact resistivity (rho(c)) is monitored for evaluation of Schottky barrier height (SBH) variation induced by dopant segregation (DS). This method is particularly advantageous for metal-semiconductor contacts of small SBH, as it neither requires low-temperature measurement needed in current-voltage characterization of Schottky diodes nor is affected by reverse leakage current often troubling capacitance-voltage characterization. With PtSi contact to both n- and p-type diffusion regions, and the use of opposite or alike dopants implant into pre-formed PtSi films followed by drive-in anneal at different temperatures to induce DS at PtSi/Si interface, the formation of interfacial dipole is confirmed as the responsible cause for modification of effective SBHs thus the increase or decrease of rho(c). A tentative explanation for the change of contact resistivity based on interfacial dipole theory is provided in this work. Influences and interplay of interfacial dipole and space charge on effective SBH are also discussed. (C) 2013 Elsevier B.V. All rights reserved.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Contact resistivity
- Dopant segregation
- PtSi
- Silicide
- Schottky barrier height
- Engineering Science with specialization in Electronics
- Teknisk fysik med inriktning mot elektronik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Luo, Jun
-
Qiu, Zhi-Jun
-
Deng, Jian
-
Zhao, Chao
-
Li, Junfeng
-
Wang, Wenwu
-
visa fler...
-
Chen, Dapeng
-
Wu, Dongping
-
Östling, Mikael
-
Ye, Tianchun
-
Zhang, Shi-Li
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
- Artiklar i publikationen
-
Microelectronic ...
- Av lärosätet
-
Uppsala universitet
-
Kungliga Tekniska Högskolan