Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-27366" >
Temperature and inj...
Temperature and injection dependence of the Shockley-Read-Hall lifetime in electron-irradiated p-type silicon
-
- Keskitalo, Niklas (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,Elektronik,Fasta tillståndets elektronik
-
- Jonsson, Per (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,Elektronik,Fasta tillståndets elektronik
-
- Nordgren, Kenneth (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,Elektronik,Fasta tillståndets elektronik
-
visa fler...
-
- Bleichner, Henry (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,Elektronik,Fasta tillståndets elektronik
-
- Nordlander, Edvard (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,Elektronik,Fasta tillståndets elektronik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 1998
- 1998
- Engelska.
-
Ingår i: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 0021-8979. ; 83:8, s. 4206-4212
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The Shockley-Read-Hall (SRH) carrier lifetime in electron-irradiated low-doped p-type silicon was measured at different injection levels and various temperatures. The lifetime under high-level injection was determined using the open-circuit carrier decay
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- PROTON IRRADIATION; TRANSIENT SPECTROSCOPY; CARRIER LIFETIME; RESISTIVITY; ENERGY; SI
- Electronics
- Elektronik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas