Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-36713" >
Stress domains in S...
Stress domains in Si(111)/a-Si3N4 nanopixel: Ten-million-atom molecular dynamics simulations on parallel computers
-
- Omeltchenko, A (författare)
- Uppsala universitet,Neutronforskningslaboratoriet i Studsvik
-
Bachlechner, ME (författare)
-
Nakano, A (författare)
-
visa fler...
-
Kalia, RK (författare)
-
Vashishta, P (författare)
-
Ebbsjo, I (författare)
-
Madhukar, A (författare)
-
Messina, P (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AMERICAN PHYSICAL SOC, 2000
- 2000
- Engelska.
-
Ingår i: PHYSICAL REVIEW LETTERS. - : AMERICAN PHYSICAL SOC. - 0031-9007. ; 84:2, s. 318-321
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Parallel molecular dynamics simulations are performed to determine atomic-level stresses in Si(111)/Si3N4(0001) and Si(111)/a-Si3N4 nanopixels. Compared to the crystalline case, the stresses in amorphous Si3N4 are highly inhomogeneous in the plane of the
Nyckelord
- SILICON-NITRIDE; ELECTRONIC-STRUCTURE; BETA-SI3N4; MORPHOLOGY; INTERFACE; BETA-C3N4; STRAIN; FILMS
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas