Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-37176" >
Electrical resistiv...
Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nonmetal transition in cubic GaN, InN and AlN systems
-
- Fernandez, JRL (författare)
- Uppsala universitet,Fysiska institutionen
-
Araujo, CM (författare)
-
da, Silva AF (författare)
-
visa fler...
-
Leite, JR (författare)
-
Sernelius, BE (författare)
-
Tabata, A (författare)
-
Abramof, E (författare)
-
Chitta, VA (författare)
-
Persson, C (författare)
-
Ahuja, R (författare)
-
Pepe, I (författare)
-
As, DJ (författare)
-
Frey, T (författare)
-
Schikora, D (författare)
-
Lischka, K (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- ELSEVIER SCIENCE BV, 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - : ELSEVIER SCIENCE BV. - 0022-0248. ; 231:3, s. 420-427
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The critical impurity concentration N-c of the metal-nonmetal (MNM) transition for the cubic GaN, InN and AIN systems. is calculated using the following two different criteria: vanishing of the donor binding energy and the crossing point between the energ
Nyckelord
- characterization; doping; molecular beam epitaxy; nitrides; SEMICONDUCTORS; SI-P;BI; DEVICES; DONOR; GAAS
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Fernandez, JRL
-
Araujo, CM
-
da, Silva AF
-
Leite, JR
-
Sernelius, BE
-
Tabata, A
-
visa fler...
-
Abramof, E
-
Chitta, VA
-
Persson, C
-
Ahuja, R
-
Pepe, I
-
As, DJ
-
Frey, T
-
Schikora, D
-
Lischka, K
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
JOURNAL OF CRYST ...
- Av lärosätet
-
Uppsala universitet