SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-37453"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-37453" > III-V semiconductor...

III-V semiconductor material for tunable Fabry-Perot filters for coarse and dense WDM systems

Strassner, M (författare)
Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,MATERIALS SCIENCE/MST
Daleiden, J (författare)
Chitica, N (författare)
visa fler...
Keiper, D (författare)
Stalnacke, B (författare)
Greek, S (författare)
Hjort, K (författare)
visa färre...
 (creator_code:org_t)
ELSEVIER SCIENCE SA, 2000
2000
Engelska.
Ingår i: SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL. - : ELSEVIER SCIENCE SA. - 0924-4247. ; 85:1-3, s. 249-255
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • In the following payer, we report on the investigation of the mechanical properties of InP grown on InGaAs by organic metal vapor phase epitaxy (OMVPE). When InP is grown, it is stressed due to an unintentional arsenic doping profile. This stress gradient

Nyckelord

Inp; MOEMS; tunable Fabry-Perot filter; air gap cavity

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy