Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-458228" >
SiOx patterned base...
SiOx patterned based substrates implemented in Cu(In,Ga)Se-2 ultrathin solar cells : optimum thickness
-
- Oliveira, Kevin (författare)
- Int Iberian Nanotechnol Lab, P-4715330 Braga, Portugal.
-
- Chen, Wei-Chao (författare)
- Uppsala universitet,Solcellsteknik
-
- Lontchi, Jackson (författare)
- UCLouvain, ICTEAM Inst, B-1348 Louvain La Neuve, Belgium.
-
visa fler...
-
- Oliveira, Antonio J. N. (författare)
- Int Iberian Nanotechnol Lab, P-4715330 Braga, Portugal.;Univ Aveiro, Dept Fis, P-3810193 Aveiro, Portugal.
-
- Teixeira, Jennifer P. (författare)
- Int Iberian Nanotechnol Lab, P-4715330 Braga, Portugal.
-
- Flandre, Denis (författare)
- UCLouvain, ICTEAM Inst, B-1348 Louvain La Neuve, Belgium.
-
- Edoff, Marika, 1965- (författare)
- Uppsala universitet,Solcellsteknik
-
- Fernandes, Paulo A. (författare)
- Int Iberian Nanotechnol Lab, P-4715330 Braga, Portugal.;Inst Politecn Porto, Inst Super Engn Porto, Dept Fis, CIETI, P-4200072 Porto, Portugal.;Univ Aveiro, I3N, P-3810193 Aveiro, Portugal.
-
- Salome, Pedro M. P. (författare)
- Int Iberian Nanotechnol Lab, P-4715330 Braga, Portugal.;Univ Aveiro, Dept Fis, P-3810193 Aveiro, Portugal.
-
visa färre...
-
Int Iberian Nanotechnol Lab, P-4715330 Braga, Portugal Solcellsteknik (creator_code:org_t)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021
- 2021
- Engelska.
-
Ingår i: 2021 IEEE 48th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). - : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE). - 9781665419222 ; , s. 928-930
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Interface recombination in sub-mu m optoelectronic devices has a major harmful impact in devices performance, showing the need for tailored passivation strategies in order to reach a technological boost. In this work, SiOx based substrates were developed and integrated in ultrathin CIGS solar cells. This study aims at understanding the impact of several SiOx layer thicknesses (3, 8 and 25 nm) when this material is used as a passivation layer. Analysing their electrical parameters, the 8 nm novel SiOx based substrates achieved light to power conversion efficiency values up to 13.2 %, a 1.3 % absolute improvement over the conventional substrate (without SiOx).
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Cu(In
- Ga)Se-2
- SiOx
- Rear Passivation Strategy
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Oliveira, Kevin
-
Chen, Wei-Chao
-
Lontchi, Jackson
-
Oliveira, Antoni ...
-
Teixeira, Jennif ...
-
Flandre, Denis
-
visa fler...
-
Edoff, Marika, 1 ...
-
Fernandes, Paulo ...
-
Salome, Pedro M. ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
2021 IEEE 48th P ...
- Av lärosätet
-
Uppsala universitet